Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Schottky interface — Šotkio priekontaktis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. Schottky interface vok. Schottky Grenzfläche, f rus. граница раздела металл полупроводник, f; интерфейс Шотки, m pranc. interface Schottky, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Schottky-Grenzfläche — Šotkio priekontaktis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. Schottky interface vok. Schottky Grenzfläche, f rus. граница раздела металл полупроводник, f; интерфейс Шотки, m pranc. interface Schottky, f … Radioelektronikos terminų žodynas
interface Schottky — Šotkio priekontaktis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. Schottky interface vok. Schottky Grenzfläche, f rus. граница раздела металл полупроводник, f; интерфейс Шотки, m pranc. interface Schottky, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Šotkio priekontaktis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. Schottky interface vok. Schottky Grenzfläche, f rus. граница раздела металл полупроводник, f; интерфейс Шотки, m pranc. interface Schottky, f … Radioelektronikos terminų žodynas
интерфейс Шотки — Šotkio priekontaktis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. Schottky interface vok. Schottky Grenzfläche, f rus. граница раздела металл полупроводник, f; интерфейс Шотки, m pranc. interface Schottky, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Омический контакт — контакт между металлом и полупроводником или двумя полупроводниками, характеризующийся линейной симметричной вольт амперной характеристикой (ВАХ). Если ВАХ является асимметричной и нелинейной, контакт является не омическим а выпрямляющим,… … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… … Википедия
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
СССР. Естественные науки — Математика Научные исследования в области математики начали проводиться в России с 18 в., когда членами Петербургской АН стали Л. Эйлер, Д. Бернулли и другие западноевропейские учёные. По замыслу Петра I академики иностранцы… … Большая советская энциклопедия
